川普说台湾偷了美国的半导体技术，绝非事实，行政院应该公开澄清。

美国总统川普访中（川习会）后，于北京接受福斯新闻（Fox News）主播布莱特·拜尔（Bret Baier）与汉尼提（Sean Hannity）的专访，再度公开指责台湾偷窃了美国的半导体技术；奇怪的是，台湾政府或台积电至今对此全无澄清，失职失能极其严重。

台湾的半导体技术当初是向美国购买的。双方于 1976 年 3 月 5 日，由工业技术研究院（工研院）代表台湾与 美国RCA 公司正式签署合约，合约为期10年。合约金额为350 万美元，分为两个部分：

技术移转费： 250 万美元
技术授权金： 100 万美元

在当时台湾国民平均年所得不到 400 美元的年代，这是一笔极为庞大的国家赌注。政府当年为整个“积体电路计划”编列了约 1,000 万美元（约合当时新台币 4 亿元）的专案预算，除了支付给 RCA 的 350 万美元技术费用外，其余资金则用于兴建台湾第一座 3 吋晶圆“示范工厂”，以及分批派遣年轻工程师（包括我，史钦泰、曾繁城、刘英达、蔡明介等20余人）前往美国 RCA 总部接受实地培训。

1976年我们向RCA 购买的是7微米的CMOS技术，而当时美国尖端技术是3.5 微米的NMOS技术。我们所以选择CMOS ，一是因为购买CMOS 技术的费用便宜，二是CMOS 较省电，适合用于低阶消费性产品，可以配合台湾消费电子业的发展。

3吋晶圆厂和7微米技术可说非常低微的起步。但工研院电子所的这座“示范工厂”示范得相当成功，于是政府决定，由电子所技术移转给1980年成立的联华电子公司，另行建立4吋晶圆厂，以走向民间和商业化。为了支付工研院的技术移转，联电成立时免费给了经济部15%的技术股。

联华电子公司在我的带领下，于1983年就创造了每股近七元的净利，并在1985年成功上市。

受到联电成功的激励，1983年，政府决定在工研院内，再建一座3微米技术的6吋晶圆示范工厂。投入了经费约一亿美元，花费四年，研发完成了3微米技术同时培养出了约400名工程师。

1987年，这些工程师全数“转进”新成立的“台湾积体电路公司”，并回头“租用”该示范工厂，让台积电成立的第一天就拥有了3微米的进步技术和崭新的可以商业化的工厂。
台积电租用工研院“示范工厂”的费用极为低廉，每年仅2百万美金，事先还由经济部支付给台积电7百万美元当成“研发费用”，等于让台积电无偿使用“示范工厂”3年半，这就是台积电业务一开始就能顺利起飞的原因。

台积电以这样的方式“取得”了3微米技术和工厂，而当时张忠谋先生同时兼任工研院和台积电的董事长，当然有“化公为私”的争议；我当年就公开提出质疑，要求联电可以参与“租用”的比价竞争；结果遭到政府打压，还差点因此被联电董事会解聘。或许因为如此，台积电对于其技术来源始终避而不谈，面对美国一再侮辱台湾偷窃美国技术，台积电也默不作声。

川普一再指责台湾偷窃美国半导体技术，后果相当严重。除了外交上的不友善，川普也以此为借口，逼迫台湾去美国设厂，以求拆除台湾的“硅盾”。台湾不宜再闷着头挨骂，不敢辩驳。

我因此强烈建议行政院、工研院、台积电，针对台湾半导体技术的来源和多年来台湾不断投入钜额资源、艰苦研发的经过，召开国际记者会详细说明，以正国际视听。

来源：新世纪

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