原标题：中国芯片设计水平和科研投入要赶上国外还有很长的路要走。

虽然魏少君的一些观点与铁流不一致，但魏的一些观点是相对客观的。例如，就科研投资而言，中国的投资相对较小，芯片设计水平与国外相比存在较大差距。

中国的IC设计水平与国外有很大差距。

魏少军主任认为，目前国内外集成电路设计水平存在较大差距，主要表现在以下几个方面：

国内铸造企业的IP供应不足。

设计行业缺乏关键的IP核设计能力。

SoC设计依赖于第三方IP核。

它在很大程度上依赖于成熟核电站的IP资源。

缺乏独立定义设计过程的能力。

COT设计能力尚不具备。

它主要依赖于技术的进步和EDA工具的进步。

这些因素导致了国内IC设计公司产品的严重同质化和IP核的日益严重滥用。国内IC设计公司在商业化方面相对成功，基本上购买国外IP授权。他们在技术上严重依赖台积电的先进技术，EDA工具完全由国外三大厂家控制，竞争有别。

在桌面和服务器CPU中，核心IP是独立设计的，只有少数公司自己编写源代码。大多数IC设计公司购买国外的IP设计SoC，或者从国外公司购买源代码，然后将所购买的产品包装成自主研发和安全可控。

就手机芯片而言，基本上不需要评估，因为ARM已经正式公开了ARM Cortex A72/A73A75/A76的性能。手机的PPT和手机的芯片。

魏少君主任还认为，中国与国外IC设计的差距导致：

采用同级技术，产品性能与国际同类产品相差2代。

为了达到与国际同类产品相同的性能，应采用先进的2代工艺技术。

但是，上述论点只适用于那些技术上服从他人的集成电路设计公司，而不适用于走自主研发道路、掌握核心技术的神威。

在实践中，SW26010采用落后于第二代英特尔的制造技术，实现了英特尔多核芯片的性能，具有很高的应用价值。

科研投入有限

魏绍军主任指出:近年来，我国在科研上的投资迅速增长。例如，在2017年，国家自然科学基金的规模比2016年增长了8.3%。在2018年，国家重点研究项目的投资约为20%。NGER比2017。但是，除了国家重大科技项目之外，国家自然科学基金和国家重点研究项目在集成电路研究方面投入较少，而且资金分散分散到数百个学科，支持力度加大。每个主题都是非常有限的，因此，期望这些研究投入产生高质量的结果是不现实的。

相比之下，英特尔（Intel）和三星（Samsung）等大型国际工厂每年的科研投资高达数百亿美元。

在技术上与国外差距较大的情况下，科研投入总量并不像人类那么大，而是零星地分散到几百个主题。在这种情况下，如果外国商人不加宽，技术差距就会烧香。

结论

虽然国内一些IC设计公司在业务上取得了很好的成绩，甚至在推出会上高呼六世界第一，但在核心IP、制造工艺、EDA工具等关键环节完全依赖外国投资者。

可以说，一些企业通过购买IP作为集成商业模式和精心的营销包装，弥补了国内商业企业IC设计力量的不足。把自己包装成自主研发